园区介绍
海沧半导体产业基地项目位于海沧区南海二路与角嵩路交叉口东北侧，项目占地面积6.8万平方米，总投资约6亿元，新建2栋11层的研发办公楼、6栋高标准中试厂房和配套辅助用房，配套甲类仓库、废水处理站、固废站、特气站等其他辅助用房，总建筑面积约13.8万平方米。项目作为目前国内首个成规模的集成电路中试厂房园区，主要为以集成电路设计为核心的上下游、SIP（系统级封装）公共技术平台、先进封装测试、晶圆制造、装备及材料等企业提供载体。
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